Общие
| Базовый Part Number | 2N4410 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100µA, 1mA |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | 2N4410 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100µA, 1mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V |
| Power - Max | 625 mW |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|