1HP04CH-TL-W

onsemi

1HP04CH-TL-W

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 100V 170MA 3CPH

УстаревшийTO-236-3, SC-59, SOT-23-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs18Ohm @ 80mA, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds14 pF @ 20 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 100µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C170mA (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус производителя3-CPH

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)