Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | Omron Electronics Inc-EMC Div |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Sensing Distance | 0.197" (5mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | Omron Electronics Inc-EMC Div |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Sensing Distance | 0.197" (5mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 30 mA |
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | Module, No Lead, Slot Type |
| Рабочая температура | -30°C ~ 85°C |
|---|