Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | S12 MagniV |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | S12Z |
|---|---|
| Разрядность ядра | 16-Bit |
| Скорость | 32MHz |
| Объем программной памяти | 48KB (48K x 8) |
| Объем RAM | 4K x 8 |
| Периферия | DMA, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | I²C, IrDA, LINbus, SCI, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 15 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 5.5V ~ 18V |
| Преобразователи данных | A/D 5x10b |
Механические
| Объем EEPROM | 512 x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tray |
| Package / Case | 48-LQFP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C~150°C(TA) |
|---|