Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | External, Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q100, S12 MagniV |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | S12Z |
|---|---|
| Разрядность ядра | 16-Bit |
| Скорость | 50MHz |
| Объем программной памяти | 16KB (16K x 8) |
| Объем RAM | 2K x 8 |
| Периферия | DMA, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | LINbus, SCI, SPI |
| Количество I/O | 31 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 3.5V ~ 20V |
| Преобразователи данных | A/D 7x12b SAR |
Механические
| Объем EEPROM | 128 x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | 48-LQFP |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TA) |
|---|