PMWD20XN,118

NXP USA Inc

PMWD20XN,118

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP

Устаревший8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 4.2A, 10V
Базовый Part NumberPMWD20
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds740pF @ 16V
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.4A
Power - Max4.2W

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Корпус производителя8-TSSOP

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)