PMN35EN,115

NXP USA Inc

PMN35EN,115

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP

УстаревшийSC-74, SOT-457Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 5.1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds334 pF @ 15 V
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность500mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-74, SOT-457
Корпус производителяSC-74

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)