Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 3A, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | PMG45 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 10 V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 375mW (Ta), 4.35W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус производителя | 6-TSSOP |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|