PMDPB65UP,115

NXP USA Inc

PMDPB65UP,115

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON

Устаревший6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 1A, 4.5V
Базовый Part NumberPMDPB
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds380pF @ 10V
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.5A
Power - Max520mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура150°C (TJ)