PMDPB38UNE,115

NXP USA Inc

PMDPB38UNE,115

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2N-CH 20V 4A 6HUSON

Устаревший6-UDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs46mOhm @ 3A, 4.5V
Базовый Part NumberPMDPB
Конфигурация2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds268pF @ 10V
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A
Power - Max510mW

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-HUSON (2x2)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)