Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 25A, 5V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 20 V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | 12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44.7A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 57.6W (Tc) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D2PAK |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|