Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.9 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2786 pF @ 12 V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Статус позиции | Устаревший |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 84A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 62.5W (Tc) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
|---|---|
| Корпус производителя | LFPAK56, Power-SO8 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|