Общие
| Тип программной памяти | FLASH |
|---|---|
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип генератора | Internal |
| Product Status | Active |
| Серия | Kinetis K10 |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M4 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Single-Core |
| Скорость | 120MHz |
| Объем программной памяти | 512KB (512K x 8) |
| Объем RAM | 128K x 8 |
| Периферия | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, I²C, IrDA, SD, SPI, UART/USART |
| Количество I/O | 104 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V |
| Преобразователи данных | A/D 66x16b |
Механические
| Объем EEPROM | 16K x 8 |
|---|---|
| Корпус | Tray |
Среда
| Рабочая температура | -40°C ~ 105°C (TA) |
|---|