Общие
| Тип программной памяти | External Program Memory |
|---|---|
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип генератора | External, Internal |
| Упаковка | Tray |
| Статус позиции | В производстве |
| Серия | RT1170 |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Ядро процессора | ARM® Cortex®-M4, Cortex®-M7 |
|---|---|
| Разрядность ядра | 32-Bit Dual-Core |
| Скорость | 400MHz, 1GHz |
| Объем RAM | 2M x 8 |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, Temp Sensor, WDT |
| Интерфейсы | CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, MMC/SD/SDIO, SAI, SPDIF, SPI, UART/USART, USB OTG |
| Количество I/O | 13 |
| Voltage - Supply (Vcc/Vdd) | 1.65V ~ 1.95V, 3V ~ 3.6V |
| Преобразователи данных | A/D 20x12b SAR |
Среда
| Рабочая температура | 0°C ~ 95°C (TJ) |
|---|