Общие
| Resistance - RDS(On) | 18 Ohms |
|---|---|
| Базовый Part Number | J110 |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 0V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 25 V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 4 V @ 1 µA |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10 mA @ 5 V |
| Power - Max | 400 mW |
Механические
| Корпус | Tape & Box (TB) |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Корпус производителя | TO-92-3 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|