BUK9832-55A,115

NXP USA Inc

BUK9832-55A,115

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 12A SOT223

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1594 pF @ 25 V
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииУстаревший
СерияTrenchMOS™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность8W (Tc)

Механические

Корпус производителяSC-73

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101