Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4230 pF @ 25 V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 55 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 166W (Ta) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220AB |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|