Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6212 pF @ 25 V |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 30 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Корпус производителя | I2PAK |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|