BUK7E13-60E,127

Name: BUK7E13-60E,127
Brand: NXP USA Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 58A I2PAK

В производствеTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AAАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	13mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1730 pF @ 25 V
Производитель	NXP USA Inc.
Тип монтажа	Through Hole
Product Status	Active
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

Напряжение сток-исток	60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	58A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	96W (Ta)

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)