BUK7510-100B,127

Name: BUK7510-100B,127
Brand: NXP USA Inc

Аналоговые и силовые компоненты

PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1

В производствеTO-220-3Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6773 pF @ 25 V
Производитель	NXP USA Inc.
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка	Tube
Статус позиции	В производстве
Серия	TrenchMOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

Напряжение сток-исток	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	300W (Tc)

Package / Case	TO-220-3
Корпус производителя	TO-220AB

Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)