BUK6217-55C,118

Name: BUK6217-55C,118
Brand: NXP USA Inc

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

В производствеTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 12A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1950 pF @ 25 V
Производитель	NXP USA Inc.
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA

Напряжение сток-исток	55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	44A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность	80W (Ta)

Рабочая температура	-55°C~175°C(TJ)