BAS116T,115

NXP USA Inc

BAS116T,115

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 75V 215MA SC75

УстаревшийSC-75, SOT-416Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberBAS11
Capacitance @ Vr, F2pF @ 0V, 1MHz
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)3 µs
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)75 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.25 V @ 150 mA
Current - Average Rectified (Io)215mA
Current - Reverse Leakage @ Vr5 nA @ 75 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-75, SOT-416
Корпус производителяSC-75

Среда

Operating Temperature - Junction150°C (Max)