Общие
| Базовый Part Number | BAP55 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 0.28pF @ 20V, 1MHz |
| Diode Type | PIN - Single |
| Производитель | NXP USA Inc. |
| Product Status | Active |
| Resistance @ If, F | 800mOhm @ 100mA, 100MHz |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
|---|---|
| Current - Max | 100 mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 135 mW |
Механические
| Корпус | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 2-XDFN |
| Корпус производителя | DFN1006D-2 |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|