A5G35H110NT4

NXP USA Inc

A5G35H110NT4

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

В производстве6-LDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияGaN

Электрические

Power - Output15.1W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test70 mA
Частота3.3GHz ~ 3.7GHz
Gain15.3dB

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-LDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-PDFN (7x6.5)