A3G26H200W17SR3

NXP USA Inc

A3G26H200W17SR3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET GAN 48V NI780

Снят с производстваNI-780S-4S2SАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительNXP USA Inc.
Product StatusLast Time Buy
ТехнологияGaN

Электрические

Power - Output34W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test120 mA
Частота2.496GHz ~ 2.69GHz
Gain14.2dB

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseNI-780S-4S2S
Корпус производителяNI-780S-4S2S