A3G26D055N-2515

NXP USA Inc

A3G26D055N-2515

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

В производстве6-LDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияGaN

Электрические

Power - Output8W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test40 mA
Частота100MHz ~ 2.69GHz
Gain13.9dB

Механические

КорпусBulk
Package / Case6-LDFN Exposed Pad
Корпус производителя6-PDFN (7x6.5)