A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc

A2G35S200-01SR3

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

RF MOSFET GAN HEMT 48V NI400

Снят с производстваNI-400S-2SАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberA2G35
ПроизводительNXP USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
ТехнологияGaN HEMT

Электрические

Power - Output180W
Voltage - Rated125 V
Voltage - Test48 V
Current - Test291 mA
Частота3.4GHz ~ 3.6GHz
Gain16.1dB

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseNI-400S-2S
Корпус производителяNI-400S-2S