Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.6mOhm @ 20A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4682 pF @ 25 V |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 80 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 182W (Tc) |
| Корпус | Bulk |
|---|
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |