Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 25A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 76 nC @ 0 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4352 pF @ 25 V |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Серия | TrenchMOS™ |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 55 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 254W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-220AB |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |