KFJ4B01120L

Nuvoton Technology Corporation

KFJ4B01120L

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 12V

В производстве4-XFLGA, CSPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs51mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds814 pF @ 10 V
ПроизводительNuvoton Technology Corporation
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 2mA

Электрические

Напряжение сток-исток12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность370mW (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-40°C ~ 85°C (TA)
QualificationAEC-Q101