Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100mA, 1A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 800mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 300 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 1A, 5V |
| Power - Max | 100 W |
| Frequency - Transition | 2.5MHz |
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-204AA, TO-3 |
| Корпус производителя | TO-3 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|