Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 4V @ 5A, 25A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 1.5A, 4V |
| Power - Max | 125 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Механические
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-3PN |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|