Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 150mA, 5V |
| Power - Max | 900 mW |
| Frequency - Transition | 140MHz |
Механические
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Корпус производителя | TO-92L |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|