Общие
| Тип выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Sensing Method | Reflective |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 50 mA |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|
Среда
| Рабочая температура | -20°C~85°C |
|---|