Общие
| Конфигурация выхода | Phototransistor |
|---|---|
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Response Time | 8µs, 50µs |
| Sensing Distance | 0.118" (3mm) |
| Sensing Method | Through-Beam |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 0.4 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - DC Forward (If) (Max) | 60 mA |
Механические
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | PCB Mount |
Среда
| Рабочая температура | -55°C~100°C |
|---|