Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 40mA, 4A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 1.5A, 3V |
| Power - Max | 40 W |
| Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-126 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|