Общие
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 670mOhm @ 5A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Напряжение сток-исток | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 125W (Tc) |
Механические
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P |
Среда
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|