Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 600mA, 3A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 2V @ 600mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 400mA, 5V |
| Power - Max | 2.5 W |
| Frequency - Transition | 15MHz |
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3P |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|