Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 15 V |
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300 pF @ 15 V |
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50mA (Tj) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 360mW (Ta), 1.2mW (Tc) |
| Корпус | Bag |
|---|---|
| Package / Case | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| Корпус производителя | TO-72 |
| Рабочая температура | -65°C~175°C(TJ) |
|---|