Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | PNP |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 300mA, 1V |
| Power - Max | 550 mW |
| Package / Case | TO-1-3 Metal Can |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-1 |