Общие
| Производитель | NTE Electronics, Inc |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bag |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 80mV @ 100mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 32 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 36 @ 1A, 0V |
| Power - Max | 6 W |
Механические
| Package / Case | TO-213AA, TO-66-2 |
|---|---|
| Корпус производителя | TO-66 |
Среда
| Рабочая температура | 90°C (TJ) |
|---|