2N7000

NTE Electronics, Inc

2N7000

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CHANNEL 60V 200MA TO92

В производствеTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed LeadsАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 500mA, 10V
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
ПроизводительNTE Electronics, Inc
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C200mA (Ta)

Механические

КорпусBag
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус производителяTO-92