1N645

NTE Electronics, Inc

1N645

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

В производствеDO-204AH, DO-35, AxialАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F15pF @ 4V, 1MHz
ПроизводительNTE Electronics, Inc
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
ТехнологияStandard

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)225 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 400 mA
Current - Average Rectified (Io)400mA
Current - Reverse Leakage @ Vr200 nA @ 225 V
СкоростьStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусBag
Package / CaseDO-204AH, DO-35, Axial
Корпус производителяDO-35

Среда

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 175°C