TO220FMDD4N65F

NextGen Components

TO220FMDD4N65F

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET TO-220F N 650V 4A

В производствеTubeАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.8Ohm @ 2A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
ПроизводительNextGen Components
Product StatusActive
СерияTO-220F
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Электрические

Напряжение сток-исток650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)

Механические

КорпусTube