PSMN8R9-100BSEJ

Nexperia USA Inc

PSMN8R9-100BSEJ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 108A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs128 nC @ 10 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C75A (Tj)
Макс. рассеиваемая мощность296W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD2PAK

Среда

Рабочая температура175°C(TJ)