PSMN2R4-30YLDX

Nexperia USA Inc

PSMN2R4-30YLDX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2256 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность106W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)