PSMN2R4-30MLDX

Nexperia USA Inc

PSMN2R4-30MLDX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33

В производствеSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3264 pF @ 15 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность91W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Корпус производителяLFPAK33

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)