PSMN021-100YLX

Nexperia USA Inc

PSMN021-100YLX

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 49A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs21.5mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4640 pF @ 25 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C49A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность147W (Tc)

Механические

Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)