PSMN012-100YS,115

Nexperia USA Inc

PSMN012-100YS,115

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56

В производствеSC-100, SOT-669Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3500 pF @ 50 V
ПроизводительNexperia USA Inc.
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность130W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseSC-100, SOT-669
Корпус производителяLFPAK56, Power-SO8

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)