PSMN009-100B,118

Name: PSMN009-100B,118
Brand: Nexperia USA Inc

Аналоговые и силовые компоненты

NEXPERIA PSMN009-100B - 75A, 100

В производствеАналоговые и силовые компоненты

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.8mOhm @ 25A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	156 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8250 pF @ 25 V
Производитель	Nexperia USA Inc.
Тип монтажа	Surface Mount
Product Status	Active
Серия	TrenchMOS™
Технология	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA

Напряжение сток-исток	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность	230W (Tc)

Корпус	Bulk
Корпус производителя	D2PAK

Рабочая температура	-55°C ~ 175°C (TJ)